金崎 順一 (カナサキ ジュンイチ)

KANASAKI Junichi

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職名

教授

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杉本キャンパス

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取得学位 【 表示 / 非表示

  • 名古屋大学 -  博士(理学)

研究分野 【 表示 / 非表示

物性Ⅰ, ナノ構造物理

研究概要 【 表示 / 非表示

  • 固体における電子・正孔・格子系の非平衡励起状態およびその超高速緩和過程に関する詳細な知見を得ると共に、電子励起状態を介した原子過程を制御・組織化して新規の高次機能構造を創製する事を目的としている

研究キーワード 【 表示 / 非表示

固体励起物性, 光誘起構造変化, 超高速緩和動力学

研究歴 【 表示 / 非表示

  • 共有結合性擬2次元系における光誘起構造変化・相転移の機構解明

      研究期間:

    1987年
    -
    現在

    研究課題キーワード:  光誘起構造変化・相転移

  • 光励起キャリアの超高速動力学

      研究期間:

    2009年
    -
    現在

  • 光による原子分子操作 -超微細加工と新物質創成ー

    (国内共同研究) 研究期間:

    2018年
    -
    現在

    研究課題キーワード:  光超精密加工

  • 光による極限時空間分光技術の開発

      研究期間:

    2016年
    -
    現在

  • 表面解析用イオン散乱分光装置の開発

    (機関内共同研究) 研究期間:

    1984年
    -
    1990年

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

  • 日本表面真空学会

委員歴等 【 表示 / 非表示

  • 2017年
     
     

    表面科学&ナノテクノロジーに関する国際シンポジウム   組織委員、プログラム委員長

  • 2016年04月
    -
    現在

    応用物理学会 励起ナノプロセス研究会   副会長

  • 2015年
     
     

    第9回超高速表面動力学に関する国際シンポジウム   実行委員

  • 2013年04月
    -
    2015年03月

    日本表面科学会   企画委員

  • 2012年
     
     

    電子物質国際会議 2012 光支援合成とプロセスシンポジウム   組織委員

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現在の職務 【 表示 / 非表示

  • 大阪市立大学   工学研究科   機械物理系専攻   教授  

職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 1988年08月
    -
    1999年09月

      名古屋大学   理学部物理学科   助手

  •  
     
     

      名古屋大学大学院   理学研究科物質理学専攻   助手

  • 1999年10月
    -
    2002年03月

      大阪市立大学   工学部   助教授

  • 2002年04月
    -
    2004年08月

      大阪市立大学大学院   工学研究科   助教授

  • 2004年09月
    -
    2007年03月

      大阪大学   産業科学研究所附属ナノテクノロジーセンター   助教授

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出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 1985年04月
    -
    1987年03月

    名古屋大学  工学研究科  結晶工学専攻  修士課程

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 1981年04月
    -
    1985年03月

    名古屋大学  工学部  原子核工学科

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Ultrafast relaxation dynamics of highly excited hot electrons in silicon

    H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura, J. Sjakste, N. Vast

    Physical Review B  100 ( 3 ) 035201-1 - 035201-13 2019年07月  [査読有り]

  • Energy relaxation mechanism of hot-electron ensembles in GaAs: Theoretical and experimental study of its temperature dependence

    J. Sjakste, N. Vast, G. Barbarino, M. Calandra, F. Mauri, J. Kanasaki, H. Tanimura, and K. Tanimura

    Physical Review B  97 ( 6 ) 064302-1 - 064302-9 2018年02月  [査読有り]

  • Ultrafast dynamics in photoexcited valence-band states of Si studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy of bulk direct transitions

    J. Kanasaki, H. Tanimura, K. Tanimura, P. Ries, W. Heckel, K. Biedermann, T. Fauster

    Physical Review B  97 ( 3 ) 035201-1 - 035201-6 2018年01月  [査読有り]

  • Electronic structure of surface unoccupied band of Ge(001)-c(4x2): Direct imaging of surface electron relaxation pathways

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, and S. Fukatsu

    Physical Review B  96 ( 11 ) 115301-1 - 115301-7 2017年11月  [査読有り]

    DOI

  • Momentum Space View of Ultrafast Dynamics of Highly Energetic Electrons in Photo-Excited Germanium

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu

    佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター2016-2017年度アクティブレポート  2017年

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講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • Relevance of hidden Valleys in the Dequenching of Room-temperature-emitting Ge layers

    T. Sakamoto, Y. Ysutake, J. Kanasaki, S. Fukatsu

    American Vacuum Society (AVS) 66th International Symposium & Exhibition  2019年10月 

  • Optical Control of Structural Transformation to Form Nano-scaled Order Phases Including sp3-like Interlayer Bonds in Graphite

    E. Inami, K. Nishioka, J. Kanasaki and K. Tanimura

    The 15th International Conference on Laser Ablation  2019年09月 

  • Ultrafast Carrier Dynamics in Photo-Excited Optoelectronic Semiconductors

    J. Kanasaki  [招待有り]

    The 2017 EMN Meeting on Optoelectronics 2017  2017年04月 

  • Momentum Space View of Ultrafast Carrier Dynamics in Photo-Excited Semiconductors

    J. Kanasaki  [招待有り]

    The 3rd Annual World Congress of Smart Materials 2017  2017年03月 

  • Direct Imaging of Surface Electron Relaxation and Surface Conduction Band Structures of Ge(001) and (111) Surfaces

    J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu

    Symposium on Surface Science & Nanotechnology 2017  2017年01月 

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知的財産権 【 表示 / 非表示

  • 原子付着による空孔除去及びレーザーを用いた半導体膜の不完全性除去による完全無欠陥膜生成の為のCVD法 [特許]

    特願 US082370  特開 US5367980-A 

    発明(考案)者名: 伊藤憲昭,中井靖男,服部賢,金﨑順一,岡野晃子

  • 電子励起原子移動による表面ナノスケール構造の製造方法及び装置 [特許]

    特願 2002-072174  特開 2003-266398  特許 3910474

    発明(考案)者名: 谷村克己,吉田博,金﨑順一

  • 完全無欠陥表面を作成する方法 [特許]

    特願 4-267470  特開 6-120138  特許 7-1053402062384

    発明(考案)者名: 伊藤憲昭,中井靖男,服部賢,金﨑順一,岡野晃子

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 時間・角度分解光電子差分分光による正孔動力学多次元イメージ法の開発

    研究課題/領域番号:19H01826  基盤研究(B) 代表者

    研究期間:

    2019年04月
    -
    2023年03月
     

  • 極限時空間分光法の開発と光誘起構造相転移研究への応用

    研究課題/領域番号:16K13822  挑戦的萌芽研究 代表者

    研究期間:

    2016年04月
    -
    2020年03月
     

  • 物質構造科学の新展開 : フェムト秒時間分解原子イメージング

    研究課題/領域番号:24000006  特別推進研究 分担者・その他

    研究期間:

    2012年04月
    -
    2017年03月
     

  • フェムト秒時間分解光電子分光法による半導体価電子正孔系の超高速動力学

    研究課題/領域番号:23540366  基盤研究(C) 代表者

    研究期間:

    2011年04月
    -
    2014年03月
     

  • 光誘起構造相転移動力学の研究

    研究課題/領域番号:19001002  特別推進研究 分担者・その他

    研究期間:

    2007年04月
    -
    2012年03月
     

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その他資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 国際交流等助成金

    制度名:  池谷科学技術財団国際交流等助成金 代表者

    研究期間:

    2014年06月
     
     

  • 光励起プロセスによる半導体表面構造のナノ制御

    制度名:  池谷科学技術振興財団単年度研究助成 (研究助成)  代表者

    研究期間:

    2007年04月
    -
    2008年03月

  • 半導体表面欠陥のキャラクタライゼイションおよびレーザー誘起原子放

    制度名:  池谷科学技術振興財団単年度研究助成 (研究助成)  代表者

    研究期間:

    1995年04月
    -
    1996年03月

  • 吉田科学技術振興財団国際研究集会派遣助成

    制度名:  吉田科学技術振興財団国際研究集会派遣助成 代表者

    研究期間:

    1989年06月
     
     

 

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 固体分析学

    (2019年度)大学 専門科目

  • 量子物性工学特論

    (2019年度)大学院 専門科目