小林 中 (コバヤシ アタル)

KOBAYASHI Ataru

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職名

准教授

研究室所在地

杉本キャンパス

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 東京大学 -  博士(工学)

  • 大阪大学 -  修士(理学)

研究分野 【 表示 / 非表示

表面物性, 量子ビーム工学

研究概要 【 表示 / 非表示

  • 原子やイオンを用いた独創的な量子ビームの開発、および先進的な分光計測技術との組み合わせによるナノスケールでの表面分析/加工技術への応用に関する研究

研究キーワード 【 表示 / 非表示

イオン/電子ビーム源

研究歴 【 表示 / 非表示

  • スピン偏極イオン分光法の開発とイオン・固体表面間の相互作用

    (個人研究) 研究期間:

    1996年04月
     
     

    研究課題キーワード:  スピン偏極イオン、オージェ中性化、表面スピン密度

  • 表面局所領域電子分光に関する基礎研究

    (個人研究)

    研究課題キーワード:  内殻電子放射

担当教育概要 【 表示 / 非表示

  • 担当科目
    (学部) 応用物理学基礎、応用物理学実験、統計力学1演習、卒業研究
    (大学院)電子・イオンビーム光学特論、特別演習(応用分光計測学Ⅰ)、特別演習(応用分光計測学Ⅱ)、前期特別研究、後期特別研究、ゼミナール

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

  • 応用物理学会

  • 日本表面科学会

受賞歴 【 表示 / 非表示

  • 大和日英基金奨励金

    1996年03月04日  

現在の職務 【 表示 / 非表示

  • 大阪市立大学   工学研究科   電子情報系専攻   准教授  

職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2001年
     
     

      大阪市立大学大学院工学研究科  

  • 1996年
    -
    2001年

      大阪市立大学工学部  

  • 1994年
    -
    1996年

      金沢工業大学物質応用工学科  

  • 1990年
    -
    1994年

      ERATO/JRDC/青野原子制御表面プロジェクト 研究員  

  • 1986年
    -
    1988年

      株式会社日立製作所日立研究所 研究員  

出身大学院 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1986年

    大阪大学  理学研究科  無機および物理化学  修士課程

出身学校 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1984年

    大阪大学  理学部  化学

 

論文 【 表示 / 非表示

  • μPH-FIMを用いた単一表面原子領域の局所仕事関数分布の測定

    太田 康, 小林 中

    公益社団法人 日本表面科学会 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan  37 ( 0 )  2017年  [査読有り]

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    マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡(μPH-FIM)を用いてW(112)テラス端の原子配列の一角に位置する単一原子領域に着目して電界イオン生成率(FIR)の2次元分布の精密測定を行った。その結果、FIR分布はテラス–ステップ方向に沿って明確な異方性を示しており、単一原子周辺に存在する電気双極子モーメントに起因する表面ポテンシャルの異方的な分布を定量的に捉えることに成功した

    DOI CiNii

  • マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いた単一輝点内部のイオン生成率分布の精密測定

    太田 康, 小林 中

    公益社団法人 日本表面科学会 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan  36 ( 0 )  2016年  [査読有り]

     概要を見る

    我々は、放出される電界イオンの観測を直径15pmの円形領域に制限したμPH-FIMを用いて、単一原子位置からのイオン生成率分布および導入ガス圧依存性を観測した。その結果、単一の輝点内部であっても電界イオン生成率分布に異方性が存在すること、および導入ガス圧依存性に違いが有ることを見出した。局所領域における微視的な電場分布とガス拡散の違いが輝点分布に及ぼす影響について報告する。

    DOI CiNii

  • マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いた単一原子領域内のイオン生成率分布の精密測定

    太田 康, 脇村 竜也, 森岡 諒太郎, 小林 中

    公益社団法人 日本表面科学会 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan  35 ( 0 )  2015年  [査読有り]

     概要を見る

    電界イオン顕微鏡(FIM)における像形成の微視的なメカニズムの解明を目的として、マイクロプローブホールFIMを用い、W(111)結晶面上に形成したtrimerを構成する一つの原子に着目して、その領域内における電界イオン生成率分布の変化を30pmφの空間分解能で精密に計測した。得られた結果を、輝点位置の原子を含む隣接原子の配置に基づいた電場分布およびガス供給方向を考慮した模型と比較し、輝点の形成過程を定量的に解析した。

    DOI CiNii

  • 電界イオン顕微鏡における電界吸着原子上の電場強度の定量的評価II

    豊泉 周也, 山田 達気, 太田 康, 小林 中

    公益社団法人 日本表面科学会 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan  34 ( 0 )  2014年  [査読有り]

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    電界イオン顕微鏡(FIM)像の結像機構の詳細を明らかにするため、μプローブホールFIMを用いて単一試料表面原子位置から放射される電界イオンを直接的に計数計測し、試料探針への印加電圧依存性を調べた。異なる最良結像電場強度を持つHeとNeをイメージングガスであるだけでなく、イオン化時の電場強度を示す指標として利用し、個々の表面原子上の空間に形成されるイオン化領域の大きさと電場強度の定量的評価を行った。

    DOI CiNii

  • パルス計数計測法を用いた単一W原子上のHe-Ne電界吸着機構の研究

    小林 中, 鉄本 健太, 熊谷 寛

    公益社団法人 日本表面科学会 表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan  34 ( 8 ) 409 - 414 2013年08月  [査読有り]

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    For investigating the interaction of He and Ne in the field adsorption and ionization process above a single tungsten atom, field ion signals have been directly measured as a function of time using a micro-probe hole field ion microscope combined with a pulse counting analysis. Observed ion signals clearly show the transitions between a field adsorbed He state and a field adsorbed Ne state, and enable the determination of average adsorption time of He and Ne. Simple probabilistic model of adsorption and exchange of atoms at field adsorption site taking account of gas densities close to the surface well reproduced the observed behavior of average adsorption times. The results indicate the pronounced increase of Ne gas density near the sample surface. Particularly in the case of an initial mixed ratio of less than 0.5% of Ne for He, the increment reaches more than a hundred times.

    DOI CiNii

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書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • Nanolithography and Atomic Modification on Silicon Surfaces by STM

    F. Grey, A. Kobayashi, H. Uchida, D. H. Huang, M. Aono (担当: 共著 )

    SPIE Optical Engineering Press・Technology of Proximal Probe Lithography  1993年

その他記事(Misc) 【 表示 / 非表示

  • スピン偏極したヘリウムイオンを創る

    小林中

    大阪市立大学工作技術センター・Fabrica  17   19 - 30 2005年

  • 原子単位での加工とその機構

    青野正和、内田裕久、D. H. Huang、小林中、F. Gray

    精密工学会・精密工学会誌  59 ( 1 ) 25 - 29 1993年

  • 走査トンネル顕微鏡における探針とSi表面との相互作用およびその原子操作への応用

    青野正和、小林中、G. Francois、内田裕久、D. H. Huang、吉信淳

    応用物理学会・応用物理  61 ( 12 ) 1264 - 1268 1992年

  • アトムクラフト

    青野正和、小林中、内田裕久、根城均、野村英一

    日本結晶学会  33 ( 3 ) 158 - 168 1991年

  • STMにおける試料と探針からの電界蒸発

    小林中、G. Francois、青野正和

    化学工業社・化学工業  42 ( 12 ) 944 - 951 1991年

 

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 電子、イオンビーム光学特論

  • 統計力学演習

    大学

  • 応用物理学基礎

    大学

  • 応用物理学実験

    大学

  • 卒業研究

    大学

 

交流可能研究 【 表示 / 非表示

  • 薄膜の作成および微細加工技術

    研究テーマ概要:リソグラフィー技術を用いて、ナノスケールでの人工的な構造を構築し、これまでにない新奇な物性を示す材料を開発する。また、走査プローブ顕微鏡を用いた原子操作により、原子単位で動作する素子の開発も試みる。

    共同研究の希望:民間等他機関

    交流の種別:共同研究, 共同研究

    交流可能な時期・期間:2001年から可能

    キーワード:薄膜成長, 微細加工, 原子操作

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    活用分野・応用方法等:リソグラフィーの基幹技術である材料と真空に関わる技術全般の分野

    予測される波及効果:コンピュータを利用した制御および情報処理システムの高機能化