KOBAYASHI Ataru

写真a

Search Institutional Repository


Title

Associate Professor

Laboratory location

Sugimoto Campus

Degree 【 display / non-display

  • The University of Tokyo -  Doctor of Engineering

  • Osaka University -  Master of Science

Research Areas 【 display / non-display

Surface Science, physics for quantum beam

Research subject summary 【 display / non-display

  • Development of nobel quantum beams of atoms and ions, and their applications to surface analysis/fabrication in nano-scale combined with the advanced spectroscopic measurement technique.

Research Interests 【 display / non-display

ion/electron beam source

Research Career 【 display / non-display

  • Development of Spin-polarized Ion Spectroscopy and Ion-Surface Interaction

    (Individual) Project Year :

    1996.04
     
     

    Keyword in research subject:  Spin-polarized Ion, Auger Neutraization, Surface Spin Density

  • Study on the local elctron spectroscopy of material surfaces

    (Individual)

    Keyword in research subject:  core level electron emission

Association Memberships 【 display / non-display

  • THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN

Awards & Honors 【 display / non-display

  • The Daiwa Anglo-Japanese Foundation Grant

    1996.03.04  

Current Career 【 display / non-display

  • Osaka City University   Graduate School of Engineering   Physical Electronics and Informatics Course   Associate Professor  

Career 【 display / non-display

  • 1996
    -
    2001

    Osaka City University, Department of Engineering  

  • 1994
    -
    1996

    Department of Materials Science, Kanazawa Institute of Technology  

  • 1990
    -
    1994

    Aono Atomcraft Project, ERATO, JRDC  

  • 1986
    -
    1988

    Hitachi Research Laboratory, Hitachi Co. Ltd.  

Graduate School 【 display / non-display

  •  
    -
    1986

    Osaka University  Graduate School, Division of Natural Science 

Graduating School 【 display / non-display

  •  
    -
    1984

    Osaka University   Faculty of Science  

 

Published Papers 【 display / non-display

  • μPH-FIMを用いた単一表面原子領域の局所仕事関数分布の測定

    太田 康, 小林 中

    公益社団法人 日本表面科学会 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan  37 ( 0 )  2017  [Refereed]

     View Summary

    マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡(μPH-FIM)を用いてW(112)テラス端の原子配列の一角に位置する単一原子領域に着目して電界イオン生成率(FIR)の2次元分布の精密測定を行った。その結果、FIR分布はテラス–ステップ方向に沿って明確な異方性を示しており、単一原子周辺に存在する電気双極子モーメントに起因する表面ポテンシャルの異方的な分布を定量的に捉えることに成功した

    DOI CiNii

  • マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いた単一輝点内部のイオン生成率分布の精密測定

    太田 康, 小林 中

    公益社団法人 日本表面科学会 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan  36 ( 0 )  2016  [Refereed]

     View Summary

    我々は、放出される電界イオンの観測を直径15pmの円形領域に制限したμPH-FIMを用いて、単一原子位置からのイオン生成率分布および導入ガス圧依存性を観測した。その結果、単一の輝点内部であっても電界イオン生成率分布に異方性が存在すること、および導入ガス圧依存性に違いが有ることを見出した。局所領域における微視的な電場分布とガス拡散の違いが輝点分布に及ぼす影響について報告する。

    DOI CiNii

  • マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いた単一原子領域内のイオン生成率分布の精密測定

    太田 康, 脇村 竜也, 森岡 諒太郎, 小林 中

    公益社団法人 日本表面科学会 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan  35 ( 0 )  2015  [Refereed]

     View Summary

    電界イオン顕微鏡(FIM)における像形成の微視的なメカニズムの解明を目的として、マイクロプローブホールFIMを用い、W(111)結晶面上に形成したtrimerを構成する一つの原子に着目して、その領域内における電界イオン生成率分布の変化を30pmφの空間分解能で精密に計測した。得られた結果を、輝点位置の原子を含む隣接原子の配置に基づいた電場分布およびガス供給方向を考慮した模型と比較し、輝点の形成過程を定量的に解析した。

    DOI CiNii

  • 電界イオン顕微鏡における電界吸着原子上の電場強度の定量的評価II

    豊泉 周也, 山田 達気, 太田 康, 小林 中

    公益社団法人 日本表面科学会 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan  34 ( 0 )  2014  [Refereed]

     View Summary

    電界イオン顕微鏡(FIM)像の結像機構の詳細を明らかにするため、μプローブホールFIMを用いて単一試料表面原子位置から放射される電界イオンを直接的に計数計測し、試料探針への印加電圧依存性を調べた。異なる最良結像電場強度を持つHeとNeをイメージングガスであるだけでなく、イオン化時の電場強度を示す指標として利用し、個々の表面原子上の空間に形成されるイオン化領域の大きさと電場強度の定量的評価を行った。

    DOI CiNii

  • パルス計数計測法を用いた単一W原子上のHe-Ne電界吸着機構の研究

    小林 中, 鉄本 健太, 熊谷 寛

    公益社団法人 日本表面科学会 表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan  34 ( 8 ) 409 - 414 2013.08  [Refereed]

     View Summary

    For investigating the interaction of He and Ne in the field adsorption and ionization process above a single tungsten atom, field ion signals have been directly measured as a function of time using a micro-probe hole field ion microscope combined with a pulse counting analysis. Observed ion signals clearly show the transitions between a field adsorbed He state and a field adsorbed Ne state, and enable the determination of average adsorption time of He and Ne. Simple probabilistic model of adsorption and exchange of atoms at field adsorption site taking account of gas densities close to the surface well reproduced the observed behavior of average adsorption times. The results indicate the pronounced increase of Ne gas density near the sample surface. Particularly in the case of an initial mixed ratio of less than 0.5% of Ne for He, the increment reaches more than a hundred times.

    DOI CiNii

display all >>

Books etc 【 display / non-display

  • Nanolithography and Atomic Modification on Silicon Surfaces by STM

    F. Grey, A. Kobayashi, H. Uchida, D. H. Huang, M. Aono (Part: Joint Work )

    SPIE Optical Engineering Press//Technology of Proximal Probe Lithography  1993

Review Papers (Misc) 【 display / non-display

  • Production of spin-polarized helium ions

    A. Kobayashi

    Central Workshop of Osaka City Univ.//Fabrica  17   19 - 30 2005

  • Atomic-level material processing and its mechanism

    M. Aono, H. Uchida, D. H. Huang, A. Kobayashi, F. Gray

    The Japan Society of Precision Engineering//Journal of Precision Engineering  59 ( 1 ) 25 - 29 1993

  • Tip-sample interactions in the scanning tunneling microscope and their application to atom manipuration

    M. Aono, A. Kobayashi, G. Francois, H. Uchida, D. H. Huang, J. Yoshinobu

    The Japan Society of Applied Physics//OYOBUTURI  61 ( 12 ) 1264 - 1268 1992

  • Atom Craft

    M. Aono, A. Kobayashi, H. Uchida, H. Nejo, E. Nomura

    The Crystallographic Society of Japan//Journal of the Crystallographic Society of Japan  33 ( 3 ) 158 - 168 1991

  • Field evaporation from the tip and the sample in scanning tunneling microscope

    A. Kobayashi, G. Francois, M. Aono

    Kagaku Kogyosha, Inc.//Chemical Industry  42 ( 12 ) 944 - 951 1991