竹内 日出雄 (タケウチ ヒデオ)

TAKEUCHI Hideo

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職名

准教授

研究室所在地

杉本キャンパス

ホームページ

http://www.ceres.dti.ne.jp/~hideo-t/

プロフィール

Hideo Takeuchi was born in Shiga, Japan, in 1973. He received the B.S. degree in Engineering from Osaka City University, Osaka, Japan in 1995, and the M.S. degree in Physics from Graduate School of Science, Osaka University in 1997. In 2002, he received the Ph. D. degree in Engineering from Graduate School of Engineering, Osaka City University.
From 1997 to 1999, he was an engineer for Si-based LSI technology with ROHM CO., LTD., Kyoto, Japan. From 2002 to 2008, he was with Mitsubishi Electric Corporation, Hyogo, Japan, where he was engaged in the research and development of high frequency electronic devices, and focused his attention on the characterization and design technology of epitaxial wafers for heterojunction bipolar transistors (HBTs) and AlxGa1-xN/GaN based high-electron-mobility transistors (HEMTs). From 2008 to 2013, he was an Associate Professor with Department of Electronic Systems Engineering, School of Engineering, The University of Shiga Prefecture, Shiga, Japan. Since 2013, he has been an Associate Professor with Depart-ment of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University. In the academic position of the universities, he has been focusing his attention on optical functions of semiconductors. His research interests include terahertz radia-tion phenomena observed with the use of the time-domain techniques, ultrafast spectroscopy, photoreflectance spectros-copy, inspection technology for compound semiconductor wafers, and excitons in semiconductors.
Dr. Takeuchi is also a member of The Physical Society of Japan, a member of The Japan Society of Applied Physics, a member of The American Physical Society (APS), a member of The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), a member of American Vacuum Society (AVS), and a member of The Optical Society of America (OSA).

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 大阪市立大学 -  博士(工学)

研究分野 【 表示 / 非表示

時間領域テラヘルツ分光を用いたコヒーレントフォノンおよびコヒーレントフォノン・プラスモン結合モードのダイナミクスの解明, 超高速ポンプ・プローブ分光法を用いたコヒーレントフォノンの研究

研究歴 【 表示 / 非表示

  • 半導体光機能性

    (個人研究) 研究期間:

    1994年04月
    -
    現在

    研究課題キーワード:  時間領域テラヘルツ分光,超高速分光,変調反射分光,Raman散乱分光,偏光分光を用いた残留歪の評価

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

  • 日本応用物理学会

  • American Physical Society (APS)

  • The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

  • American Vacuum Society (AVS)

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受賞歴 【 表示 / 非表示

  • Selected for the May 2011 issue of Virtual Journal of Ultrafast Science (Volume 10, Issue 5).

    Emission of the terahertz electromagnetic wave from coherent longitudinal optical phonons in a GaAs buffer layer optically masked by a GaSb top epitaxial layer

    2011年05月   American Institute of Physics

    受賞者:Hideo Takeuchi, Syuichi Tsuruta, and Masaaki Nakayama

     概要を見る

    We demonstrate that, in a GaSb/GaAs epitaxial structure, the coherent longitudinal optical (LO) phonon in the GaAs layer optically masked by the GaSb top layer is observed utilizing terahertz- electromagnetic-wave spectroscopy. It is confirmed from a Raman scattering measurement that only the optical phonon in the GaSb layer is optically observable, where the photon energy of the excitation laser beam was almost the same as that of the femtosecond pulse pump beam for the terahertz wave measurement. In the terahertz wave measurement, the Fourier power spectrum of the terahertz waveform exhibits both the GaAs and the GaSb LO phonons; namely, the coherent LO phonon in the optically masked GaAs buffer layer is observed in the terahertz wave measurement. This fact demonstrates that the instantaneous surface potential modulation originating from the impulsive carrier excitation by the pump pulses reaches the GaAs buffer layer. Consequently, the above-mentioned surface potential modulation generates the coherent GaAs LO phonon.

現在の職務 【 表示 / 非表示

  • 大阪市立大学   工学研究科   電子情報系専攻   准教授  

職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2013年04月
    -
    現在

      大阪市立大学   准教授

  • 2008年04月
    -
    2013年03月

      滋賀県立大学   准教授

  • 2002年04月
    -
    2008年02月

      三菱電機株式会社  

  • 1999年04月
    -
    2002年03月

      大阪工業大学   非常勤講師

  • 1997年04月
    -
    1999年03月

      ローム株式会社  

出身大学院 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    2002年

    大阪市立大学  工学研究科  応用物理  博士課程後期

  •  
    -
    1997年

    大阪大学  理学研究科  物理学専攻  博士課程前期

出身学校 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1997年

    大阪市立大学  工学部  応用物理学科

 

論文 【 表示 / 非表示

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書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • Polariscopy: Its high sensitivity to internal/residual strains of semiconductor single crystal wafers

    Hideo Takeuchi (担当: 単訳 )

    Nova Science Publishers, NY, United States of America  2014年

  • Photoreflectance spectroscopy of Franz-Keldysh oscillations from semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic devices and components

    Hideo Takeuchi (担当: 単訳 )

    Nova Science Publishers, NY, United States of America  2014年

  • Terahertz Electromagnetic Waves from Semiconductor Epitaxial Layer Structures: Small Energy Phenomena with a Large Amount of Information

    Hideo Takeuchi (担当: 単著 )

    Wave Propagation edited by Andrey Petrin (INTECH, Vienna, March 2011, ISBN: 978-953-307-275-3).  2011年03月

その他記事(Misc) 【 表示 / 非表示

  • Fablica: 波を追いかけて

    Hideo Takeuchi

    Fablica (大阪市立大学工作技術センター)  29   31 - 40 2018年03月  [依頼有り]

講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • 時間領域テラヘルツ分光を用いたInSb単結晶におけるドーピングキャリア濃度によるフォトデンバー効果への影響の探査

    竹内日出雄,住岡俊裕,中山正昭

    日本物理学会 第75年次大会(2020年)  2020年03月 

  • 高速原子ボンバードメント処理されたGaAsエピタキシャル層の時間領域テラヘルツ分光

    大椋祐斗,竹内日出雄,中山正昭,小野田稜太,中岡俊裕,内海淳,川崎繁男,小山政俊

    第30回光物性研究会  2019年12月 

  • 時間領域テラヘルツ分光を用いた高速原子ボンバードメント処理によるGaAsエピタキシャル層表面の評価

    大椋祐斗,竹内日出雄,中山正昭,小野田稜太,中岡俊裕,内海淳 ,川崎繁男,小山政俊

    日本物理学会2019年秋季大会  2019年09月 

  • Terahertz emission from coherent longitudinal optical (LO) phonons and LO-phonon-plasmon coupled modes in a low-temperature-grown GaAs epitaxial layer

    Hideo Takeuchi, Takuya Nishimura, Masaaki Nakayama, Andra Chen, Richard L. Field, III, and Rachel S. Goldman

    The 21st International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON21)  2019年07月 

  • 低温成長GaAsエピ層におけるコヒーレント縦光学フォノンおよび縦光学フォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ放射

    竹内日出雄,西村拓也,中山正昭,A. Chen, R. L. Field, III, R. S. GoldmanB

    日本物理学会 第74 回年次大会(2019 年)  2019年03月 

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知的財産権 【 表示 / 非表示

  • 半導体層の検査方法 [特許]

    特願 特願2011-023447  特開 特開2011-101049  特許 特許第5189661号

    発明(考案)者名: 竹内 日出雄, 山本 佳嗣

    J-GLOBAL

  • 半導体層の検査方法 [特許]

    特願 特願2011-023447  特開 特開2011-101049 

    発明(考案)者名: 竹内 日出雄, 山本 佳嗣

    J-GLOBAL

  • Semiconductor Device [特許]

    特願 特願12/143,053  特許 特許7,700,972

    発明(考案)者名: Hideo Takeuchi and Yoshitsugu Yamamoto

     概要を見る

    United States Patent

  • 半導体装置 [特許]

    特願 特願2008-052409  特開 特開2009-212231  特許 特許第5320774号

    発明(考案)者名: 竹内 日出雄, 山本 佳嗣

    J-GLOBAL

  • 半導体装置 [特許]

    特願 特願2008-052409  特開 特開2009-212231 

    発明(考案)者名: 竹内 日出雄, 山本 佳嗣

    J-GLOBAL

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科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 半導体物性物理に基づいた周波数バンド可変テラヘルツ電磁波発生素子構造設計原理構築

    若手研究(B) 代表者

    研究期間:

    2010年04月
    -
    2013年03月
     

その他資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • テラヘルツ領域におけるコヒーレントフォノン・プラズモン結合モードの動的解明

    制度名:  工学研究科若手研究費 (学内研究費)  代表者

    研究期間:

    2013年04月
    -
    2014年03月

  • Time Evolution of Terahertz Electromagnetic Waves from Undoped GaAs/n-type GaAs Epitaxial Layer Structures Clarified with Use of a Time-Partitioning Fourier Transform Method

    制度名:  研究者海外派遣援助金 (研究助成)  代表者

    研究期間:

    2011年
     
     

  • 15th International Conference on II-VI Compounds

    制度名:  海外渡航助成 (補助金)  代表者

    研究期間:

    2011年
     
     

  • 高効率高出力なワイドバンドギャップ半導体デバイスの基板材料の残留応力および熱伝導率に対するクロスニコル像を用いた簡易評価技術開発

    制度名:  JST研究成果最適展開支援事業(A-STEP)フィージビリティスタディ【FS】ステージ探索タイプ 課題番号: AS221Z02197B (受託研究)  代表者

    研究期間:

    2010年10月
    -
    2011年03月

 

担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 特別演習(光物性工学I)

    (2019年度)大学院 専門科目

  • 特別演習(光物性工学II)

    (2019年度)大学院 専門科目

  • 光物性工学特論

    (2019年度)大学院 専門科目

  • 電子・物理工学実験II

    (2019年度)大学 専門科目

  • 外書講読

    (2019年度)大学 専門科目

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その他教育活動 【 表示 / 非表示

  • クラス担任

    (2019年度)

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    2017年度電子物理工学科入学生学年相談員。

  • FD活動への貢献

    (2018年度)

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    講演「全学FD研修会(第26回教育改革シンポジウム)」への参加と聴講。

  • 国際化への貢献

    (2018年度)

     概要を見る

    講演「リーディング大学院(博士へのいざない)」への参加と聴講。

  • クラス担任

    (2018年度)

     概要を見る

    2017年度電子物理工学科入学生学年相談員。

  • 国際化への貢献

    (2018年度)

     概要を見る

    国連 Academic Impact Activity講演会への参加と聴講。

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社会貢献活動 【 表示 / 非表示

  • 光の性質を調べてみよう

    (滋賀県立大学)

    役割:講師

     対象:高校生 

    2012年08月
     
     

    主催者・発行元: 滋賀県教育委員会・高大連携講座 

  • エレクトロニクスの最前線: 暮らしを支えるエレクトロニクスの先端技術

    (滋賀県立大学)

    役割:講師

     対象:教育関係者 

    2009年08月
     
     

    主催者・発行元: 滋賀県教員研修講座: 先端技術講座 

 

シーズ 【 表示 / 非表示

  • 時間領域テラヘルツ分光

    電気・電子

  • 光変調反射分光を用いた電子・光デバイス化合物半導体エピウェハの評価

    電気・電子

  • Reliability and/or surface diagnosis testers using photoreflectance spectroscopy

    電気・電子

  • Application of terahertz waves from coherent LO phonons and LO-phonon-plasmon coupled mode to industry fields such as wireless communications (5~10 THz range)

    電気・電子

 

その他の活動 【 表示 / 非表示

  • 活動期間:

    2018年04月
    -
    現在

    活動内容:Investigateion of ultrafast optical dynamics of Low-temperature-grown GaAs and Bi-contained III-V semiconductors (Collaboration with Rachel Goldman's Lab. at Michigan University)

    United States of America