重川 直輝 (シゲカワ ナオテル)

SHIGEKAWA Naoteru

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職名

教授

研究室所在地

杉本キャンパス

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 東京大学 -  博士(理)

研究分野 【 表示 / 非表示

電子デバイス・電子機器

研究歴 【 表示 / 非表示

  • シリコン基板上異種材料タンデム太陽電池

    (国内共同研究) 研究期間:

    2011年10月
     
     

    研究課題キーワード:  グリーンパワーデバイス、高効率太陽電池、パワーエレクトロニクス

担当教育概要 【 表示 / 非表示

  • 学部教育: アナログ電子回路の基礎的事項及びパワーエレクトロニクスの基礎的事項を講義(電子回路学基礎、パワーエレクトロニクス) 大学院教育: パワー半導体デバイスの材料及びデバイス動作原理、パワーエレクトロニクス回路構成を講義(パワーエレクトロニクス技術特論)

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 日本物理学会

  • 英国物理学会

  • 電子情報通信学会

  • 電気学会

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委員歴等 【 表示 / 非表示

  • 2016年07月
    -
    現在

    エレクトロニクスレターズ 編集委員会   編集委員

  • 2015年10月
    -
    現在

    日本学術振興会産学協力研究委員会 接合界面創成技術第191委員会   幹事

  • 2012年04月
    -
    現在

    電子情報通信学会電子デバイス研究会   調査専門委員

  • 2012年04月
    -
    現在

    JJAP編集委員会   編集委員

受賞歴 【 表示 / 非表示

  • APEX/JJAP編集貢献賞

    2017年03月17日  

現在の職務 【 表示 / 非表示

  • 大阪市立大学   工学研究科   電子情報系専攻   教授  

  • 大阪市立大学   複合先端研究機構   副機構長・教授  

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Fabrication of diamond/Cu direct bonding for power device applications

    Shinji Kanda, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Kenji Shirasaki, Yasuyoshi Nagai, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa, and Jianbo Liang

    Japanese Journal of Applied Physics  2019年10月  [査読有り]

    DOI

  • Low-resistance semiconductor/semiconductor junctions with intermediate metal grids for III-V-on-Si multijunction solar cells

    Takashi Hishida, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics  2019年10月  [査読有り]

    DOI

  • Impact of focused ion beam on structural and compositional analysis of interfaces fabricated by surface activated bonding

    Yutaka Ohno, Hideto Yoshida, Naoto Kamiuchi, Ryotaro Aso, Seiji Takeda, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, and Naoteru Shigekawa

    Japanese Journal of Applied Physics  2019年10月  [査読有り]

  • Synthesis of Mn-Doped ZnSe-ZnS Alloy Quantum Dots by a Hydrothermal Method

    Nishimura Hisaaki, Lin Yuxin, Hizume Masayuki, Taniguchi Taichi, Shigekawa Naoteru, Takagi Tomomi, Sobue Susumu, Kawai Shoichi, Okuno Eiichi, Kim DaeGwi

    公益社団法人 日本化学会 CHEMISTRY LETTERS  48 ( 9 ) 1081 - 1083 2019年09月  [査読有り]

     概要を見る

    <p>This study aims to report the hydrothermal synthesis of water-soluble Mn-doped ZnSe-ZnS alloy quantum dots (QDs), wherein manganese (Mn<sup>2+</sup>) serves as an emission center. The alloy composition was controlled by the mixing ratio of ZnSe:Mn and ZnS:Mn precursor solutions. The photoluminescence (PL) band originating from the <i>d</i>-<i>d</i> transition in Mn<sup>2+</sup> was clearly observed. With an increase in the amount of ZnS in the alloy QDs, the absorption onset energy shifted toward higher energy, demonstrating the successful preparation of alloy QDs, and Mn PL intensity increased as well.</p>

    DOI CiNii

  • Low-Loss Characteristics of Metal-Foil-Based Passive Components by Surface-Activated Bonding Technologies

    Matsuura Keita, Liang Jianbo, Maezawa Koichi, Shigekawa Naoteru

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES  66 ( 9 ) 3946 - 3952 2019年09月  [査読有り]

    DOI

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書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • 異種材料の接着・接合技術とマルチマテリアル化

    重川 直輝 (担当: 分担執筆 )

    技術情報協会  2017年10月

その他記事(Misc) 【 表示 / 非表示

  • 次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合

    重川直輝, 梁剣波

    New Diamond  34 ( 4 ) 3 - 5 2018年10月  [依頼有り]

  • Electrical conduction of Si/ITO/Si junctions fabricated by surface activated bonding

    重川 直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)    51 2017年  [査読有り]

  • Electrical Properties of Al-Foil/4H-SiC Schottky Junctions Fabricated by Surface-Activated Bonding

    重川 直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)    68 2017年  [査読有り]

  • Impacts of bonding-layer resistance of Si bottom cells on interface resistance in InGaP/GaAs/Si hybrid triple-junction cells

    重川 直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)    52 2017年  [査読有り]

  • Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature

    重川 直輝

    2017 5TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D)    4 2017年  [査読有り]

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講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • GaAs//Si Hybrid Double Junction Cells Fabricated by Direct Bonding of Epitaxially Lifted-Off GaAs Subcell Layers on PET Films

    Ryo Kozono, Jianbo Liang, Kentaroh Watanabe, Masakazu Sugiyama, Naoteru Shigekawa

    29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2019年11月 

  • 表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の低温FIB法による断面TEM評価

    大野 裕, 清水 康雄, 永井 康介, 麻生 亮太郎, 神内 真人, 吉田 秀人, 梁 剣波, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

  • 直接接合された表面実装型LEDパッケージにおける素子温度評価

    小丸 啓吾, 梁 剣波, 西尾 佳高, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

  • ELO法及びSAB法によるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製

    小園 亮, 梁 剣波, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 重川 直輝

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

  • 表面活性化接合で形成したSi/GaAs界面の低温FIB法によるアトムプローブ評価

    清水 康雄, 海老澤 直樹, 大野 裕, 梁 剣波, 重川 直輝, 永井 康介

    2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年09月 

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科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 高効率素子に向けたワイドギャップ半導体/ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明

    挑戦的研究(萌芽) 代表者

    研究期間:

    2018年04月
    -
    2020年03月
     

  • 半導体ナノ粒子の波長変換機能によるアドオン型の太陽電池特性制御

    基盤研究(B) 代表者

    研究期間:

    2017年04月
    -
    2020年03月
     

  • パワー素子に向けたダイヤモンド/シリコン常温接合とその結晶工学的機構の解明

    挑戦的萌芽研究 代表者

    研究期間:

    2016年04月
    -
    2018年03月
     

その他資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • ダイヤモンド直接接合による高耐熱性界面の研究開発

    制度名:  NEDO先導研究プログラム/新産業創出新技術先導研究プログラム (受託研究)  代表者

    研究期間:

    2019年07月
    -
    2020年07月

  • 超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発(高効率・低コストIII-V/Siタンデム)/表面活性化接合によるⅢ-Ⅴ/Si多接合セル

    制度名:  NEDO/高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発 (受託研究)  代表者

    研究期間:

    2018年04月
    -
    2019年03月

  • セラミック基板/金属箔の直接接合による放熱基板の開発

    制度名:  共同研究(民間) (共同研究)  代表者

    研究期間:

    2017年10月
    -
    2019年09月

  • 金属箔の表面活性化接合による半導体デバイス開発

    制度名:  共同研究(民間) (共同研究)  代表者

    研究期間:

    2016年10月
    -
    2017年09月

  • 金属箔の表面活性化接合による金属厚膜の形成

    制度名:  マッチングプランナープログラム「企業ニーズ解決試験」 平成28年度公募 (受託研究)  代表者

    研究期間:

    2016年06月
    -
    2017年03月

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担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • パワーエレクトロニクス

    (2018年度)大学 専門科目

  • アナログ電子回路学

    (2018年度)大学 専門科目

  • パワーエレクトロニクス技術特論

    (2018年度)大学院 専門科目

  • 電子回路学基礎

    (2017年度)大学 専門科目

  • パワーエレクトロニクス

    (2017年度)大学 専門科目

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その他教育活動 【 表示 / 非表示

  • 学部・研究科横断型教育プログラムへの貢献

    (2018年度)

     概要を見る

    博士課程教育リーディングプログラム担当教員として、リーディングプログラム実務委員会に参加するとともに、当研究室に所属し、同プログラムを履修する前期博士課程院生(留学生)1名を指導教員として指導した。

  • 学部・研究科横断型教育プログラムへの貢献

    (2017年度)

     概要を見る

    博士課程教育リーディングプログラム担当教員として、リーディングプログラム実務委員会に参加するとともに、研究室で指導する研究生(留学生)1名を出願・合格させた。

 

社会貢献活動 【 表示 / 非表示

  • NEDOフェスタin関西2019

    (Grand Front Osaka)

    役割:出演

     対象:研究者, 企業, 行政機関 

    2019年12月
     
     

    主催者・発行元: NEDO  NEDOフェスタin関西2019 

     概要を見る

    NEDOフェスタ2019in関西において「低熱抵抗モジュール実現を目指すダイヤモンド異種材料直接接合」と題して展示を行った。

  • JST、関西3公立大学/スマートテクノロジー 新技術説明会

    (JST東京本部別館1Fホール(東京・市ケ谷))

    役割:講師

     対象:研究者, 学術団体, 企業 

    2017年11月
     
     

    主催者・発行元: 科学技術振興機構、大阪府立大学、大阪市立大学、兵庫県立大学  スマートテクノロジー 新技術説明会 

     概要を見る

    特許出願の内容に基づき、表面活性化接合技術の様々な産業応用の可能性を紹介する講演を行った。

 

外国人受入実績 【 表示 / 非表示

  • 外国人受入年度:2019年度

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    外国人研究者受入数
    0名
    外国人留学生受入数
    1名
  • 外国人受入年度:2018年度

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    外国人留学生受入数
    1名
  • 外国人受入年度:2017年度

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    外国人留学生受入数
    1名
  • 外国人受入年度:2015年度

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    外国人留学生受入数
    1名

    China

  • 外国人受入年度:2014年度

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    外国人留学生受入数
    1名

    China

その他の活動 【 表示 / 非表示

  • 活動期間:

    2018年01月
    -
    現在

    活動内容:イギリス・ブリストル大学と部局間協定締結し、異種材料接合界面評価に関する共同研究を実施した。共著での論文発表、学会発表を行った。

    United Kingdom