梁 剣波 (リョウ ケンボ)

LIANG JIANBO

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職名

准教授

研究室所在地

杉本キャンパス

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 名古屋工業大学 -  博士(工学)

  • 名古屋工業大学 -  修士(工学)

研究分野 【 表示 / 非表示

物性Ⅰ

研究歴 【 表示 / 非表示

  • シリコン基板上窒化物等異種材料タンデム太陽電池の研究開発

    (国内共同研究) 研究期間:

    2013年04月
    -
    2016年03月

    研究課題キーワード:  タンデム太陽電池、シリコンセル、化合物太陽電池

担当教育概要 【 表示 / 非表示

  • 電子・物理工学実験Ⅰでは、情報処理システムの動作を理解するために必要エレクトロニクスに関する基礎知識を実験により修得することを目的している。 電磁気学Ⅰ演習では、電磁気学をより深く理解し、それによって応用能力を身につけるためには、練習問題を実際に数多く解いてみることが極めて重要である。

現在の職務 【 表示 / 非表示

  • 大阪市立大学   工学研究科   電子情報系専攻   准教授  

職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2019年04月
    -
    現在

      大阪市立大学   工学研究科   准教授

  • 2017年02月
    -
    2017年08月

      ブリストル大学   HH Wills 物理学研究所   客員研究員

  • 2015年04月
    -
    2019年03月

      大阪市立大学   工学研究科   講師

  • 2012年04月
    -
    2015年03月

      大阪市立大学   工学研究科   博士研究員

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 2009年04月
    -
    2012年03月

    名古屋工業大学  工学研究科  未来材料創成工学専攻  博士課程

  • 2007年04月
    -
    2009年03月

    名古屋工業大学  工学研究科  未来材料創成工学  修士課程

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Low-Loss Characteristics of Metal-Foil-Based Passive Components by Surface-Activated Bonding Technologies

    1. Keita Matsuura, Jianbo Liang, Koichi Maezawa, and Naoteru Shigekawa

    IEEE Transactions on Electron Devices  66 ( 9 ) 3946 - 3952 2019年07月  [査読有り]

  • Macroscale synthesis of CuO nanowires on FTO plane substrate

    1. Yota Mabuchi, Rashid Norhana Mohamed, Xuyang Li, Jianbo Liang, Naoki Kishi, and Tetsuo Soga

    Modern Physics Letters B  33   1950138 2019年04月  [査読有り]

  • Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface

    Jianbo Liang, Yan Zhou, Satoshi Masuya, Filip Gucmann, Manikant Singh, James Pomeroy, Seongwoo Kim, Martin Kuball, Makoto Kasu, Naoteru Shigekawa

    Diamond & Related Materials  93   187 - 192 2019年02月  [査読有り]

  • Hard X-ray photoelectron spectroscopy investigation of annealing effects on buried oxide in GaAs/Si junctions by surface-activated bonding

    Shoji Yamajo, Sanji Yoon, Jianbo Liang, Hassanet Sodabanlu, Kentaro Watanabe, Masakazu Sugiyama, Akira Yasui, Eiji Ikenaga, and Naoteru Shigekawa

    Applied Surface Science  473   627 - 632 2018年12月  [査読有り]

  • Stability of diamond/Si bonding interface during device fabrication process

    Jianbo Liang, Satoshi Masuya, Seongwoo Kim, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu, and Naoteru Shigekawa

    Applied Physics Express  12   016501-1 - 016501-5 2018年11月  [査読有り]

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書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • Electrical Properties of n+-Si/n-GaN Junctions by Room Temperature Bonding

    Takuya Nishimura, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, and Naoteru Shigekawa (担当: 共著 )

    2015 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)  2015年

その他記事(Misc) 【 表示 / 非表示

  • 次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合

    重川直輝 梁剣波

    ニューダイヤモンドフォーラム  34 ( 4 ) 3 - 5 2018年10月  [依頼有り]

  • 次世代エレクトロニクスを拓くダイヤモンドと異種材料の直接接合

    重川直輝 梁剣波

    ニューダイヤモンドフォーラム  34 ( 4 ) 3 - 5 2018年10月  [査読有り]

講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • Compositional nanoanalysis at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures

    Yutaka OHNO, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Koji INOUE, Yasuyoshi NAGAI, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    Europian Conference and Exhibition on Advanced Material and Processed (EUROMAT2019)  2019年09月 

  • Fabrication of GaAs/diamond direct bonding for high power device applications

    Y. NAKAMURA, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Makoto KASU, Naoteru SHIGEKAWA, and Jianbo LIANG

    13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

  • Interfacial characterization of GaN/diamond heterostructures prepared by room temperature bonding for high power device applications

    Jianbo LIANG, Yasuo SHIMIZU, Yutaka OHNO, Kenji SHIRASAKI, Yasuyoshi NAGAI, Seongwoo KIM, Martin KUBALL, Makoto KASU, and Naoteru SHIGEKAWA

    13th Topical Workshop on Heterostructure Miccroelectronics (TWHM 2019)  2019年08月 

  • Impact of focused ion beam in the structural analysis of semiconductor interfaces fabricated by surface activated bonding

    Yutaka OHNO, Hideto YOSHIDA, Naoto KAMIUCHI, Ryotaro ASO, Seiji TAKEDA, Yasuo SHIMIZU, Naoki EBISAWA, Yasuyoshi NAGAI, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS30)  2019年07月 

  • Electrical Properties of GaAs/GaN Junctions by Bonding GaN Layers Grown on Free Standing Substrates

    Shoji YAMAJO, Jianbo LIANG, and Naoteru SHIGEKAWA

    13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS’13)  2019年07月 

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知的財産権 【 表示 / 非表示

  • 電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法 [特許]

    特願 特願2015-145514  特開 特開2017-28115 

    発明(考案)者名: 重川直輝、梁剣波

  • 半導体装置、及びその半導体装置の製造方法 [特許]

    特願 特願2014-26134  特許 特開2015-153893

    発明(考案)者名: 重川直輝、梁剣波

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 高効率素子に向けたワイドギャップ半導体/ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明

    挑戦的萌芽研究 分担者・その他

    研究期間:

    2018年04月
    -
    2020年03月
     

その他資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 熱処理によるダイヤモンド/Si接合における界面挙動

    制度名:  東北大学・金属材料研究所共同利用 (共同研究)  代表者

    研究期間:

    2019年04月
    -
    2020年03月

  • 大口径ダイヤモンド基板実現に向けたダイヤモンド/Si接合界面形成機構の解明

    制度名:  平成30年度工学研究科若手研究 (学内研究費)  代表者

    研究期間:

    2018年04月
    -
    2019年03月

  • 単結晶ダイヤモンド/Si接合界面の形成機構の解明

    制度名:  東北大学・金属材料研究所共同利用 (共同研究)  代表者

    研究期間:

    2018年04月
    -
    2019年03月

  • 熱処理によるダイヤモンド/Si接合における界面挙動

    制度名:  東北大学・金属材料研究所共同利用 (共同研究)  代表者

    研究期間:

    2018年04月
    -
    2019年03月

  • エレクトロニクス応用に向けたダイヤモンドとシリコンの接合界面形成機構の解明とその実用性の検証

    制度名:  公益財団法人ヒロセ国際奨学財団研究助成金 (研究助成)  代表者

    研究期間:

    2018年01月
    -
    2019年12月

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担当授業科目(学内) 【 表示 / 非表示

  • 電磁気学Ⅰ演習

    (2018年度)大学 専門科目

  • 電子・物理工学関係外書講読

    (2018年度)大学 専門科目

  • 電子・物理工学実験Ⅱ

    (2018年度)大学 専門科目

  • 卒業研究

    (2018年度)大学 共通(教育)科目

  • 特別演習(パワーエレクトロニクス工学Ⅰ)

    (2018年度)大学院 専門科目

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その他教育活動 【 表示 / 非表示

  • 課外活動

    (2018年度)

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    研究室ソフトボール大会の幹事に務めた。

  • クラス担任

    (2018年度)

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    3回生工場見学の引率に務めた。

  • 課外活動

    (2017年度)

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    研究室ソフトボール大会の幹事に務めた

  • 国際化への貢献

    (2017年度)

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    ブリストル大学との共同研究連携に貢献した

  • 課外活動

    (2016年度)

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    研究室ソフトボール大会の幹事に務めた。